Research & Development
제주반도체는 기술역량을 강화하고 있으며 미래 핵심기술의 선행개발을 통하여 세계적인 기술경쟁력을 확보하고 있습니다.
Development
연구개발 인력의 80% 이상이 10년 이상 경력의 메모리 전문가입니다.
저전압 동작, 고밀도 패키지, 고속 신호의 노이즈 저감 기술을 확보했으며, 주요 칩셋·메모리 업체와의 협업으로 기술력을 인정받고 있습니다.
연구개발 실적
| 주요 연구분야 | 개발년도 | 비고 |
|---|---|---|
| 32M LP SDRAM | 2006년 | 개발 |
| 16M Pseudo SDRAM | 2005년 | 개발 및 양산개시 |
| 16M Pseudo SRAM | 2004년 | 양산개시 |
| 16M Pseudo SRAM | 2003년 | 개발 |
| 1M,2M,8M SRAM | 2003년 | 개발 및 양산개시 |
| 4M SRAM | 2000년~2002년 | 개발 및 양산개시 |
연구개발 목표
차세대 초저전력 회로 및 Architecturing 기법 개발
고속 저전력 동작을 병행하는 회로 개발
System 환경 변동 인자 및 소자 Process 변화에 Robust한 장치 개발
제품의 고양산성 및 고신뢰성 확보를 위한 Testability
제품 경쟁력 확보를 위한 배치 및 Layout 연구
다품종 소량 생산에 고효율성을 갖는 설계 기법 확보
수탁 가공 생산에 최적화된 효율을 갖는 제품 설계 및 생산 기법 연구
Future Memory 회로 설계 기법 개발
공업소유권 현황
등록 특허
- 국내 특허
- 0
- 해외 특허
- 0
출원 특허
- 국내 특허
- 0
- 해외 특허
- 0